pada 2024/11/14 54

Semua mengenai MOSFET IRF530

IRF530, MOSFET N-Channel yang teguh, menonjol dalam domain elektronik kuasa untuk kapasitans input yang rendah dan caj pintu masuk yang dikurangkan, meningkatkan kecekapan penukaran dan pengurusan kuasa berkelajuan tinggi.Ideal untuk aplikasi seperti bekalan kuasa, kawalan motor, dan peraturan voltan, IRF530 menyediakan prestasi yang boleh dipercayai dengan meminimumkan kehilangan kuasa dan tekanan haba, yang meningkatkan ketahanan sistem.Artikel ini menggali spesifikasi IRF530, konfigurasi PIN, faedah teknikal, dan pelbagai aplikasi, yang menawarkan pandangan untuk anda mencari prestasi yang dioptimumkan dalam persekitaran yang menuntut.

Katalog

Gambaran keseluruhan IRF530

The IRF530, MOSFET N-saluran yang canggih, menarik perhatian dalam landskap elektronik kuasa hari ini dengan mengoptimumkan kapasitans input yang dikurangkan dan caj pintu.Atribut ini meningkatkan kesesuaiannya sebagai suis utama dalam penukar DC-DC terpencil yang canggih.Dengan keperluan yang semakin meningkat untuk pengurusan tenaga yang berkesan, telekom, dan sistem pengkomputeran semakin bergantung pada IRF530 untuk memudahkan operasi dinamik mereka.

Memanfaatkan warisan kemajuan dalam teknologi semikonduktor, IRF530 menyediakan pilihan yang boleh dipercayai untuk individu yang bercita -cita untuk meningkatkan prestasi sambil meminimumkan perbelanjaan tenaga.Ia cemerlang dalam membendung kehilangan kuasa melalui keupayaan penukaran yang unggul, yang memupuk panjang umur dan kestabilan peranti bersepadu.

Spesifikasi reka bentuk IRF530 yang direka dengan teliti memenuhi persekitaran dengan tuntutan kecekapan tenaga yang ketat, seperti infrastruktur telekom dan perkakasan pengkomputeran.Anda boleh menghargai kemampuannya untuk secara konsisten menawarkan output yang boleh dipercayai, walaupun dalam senario tekanan tinggi.Ini menjadi utama di pusat data, di mana menarik keseimbangan dalam pengurusan haba menimbulkan cabaran yang ketara.

Konfigurasi pin

Model CAD

Simbol

Jejak kaki

Visualisasi 3D

Ciri -ciri

Ciri	Spesifikasi
Jenis Transistor	N Saluran
Jenis Pakej	TO-220AB dan pakej lain
Voltan maksimum digunakan (sumber longkang)	100 V
Voltan Sumber Max Gate	± 20 V
Semasa longkang berterusan maksimum	14 a
Arus longkang pulsed maksimum	56 a
Pelepasan kuasa maksimum	79 w
Voltan minimum untuk dijalankan	2 v hingga 4 v
Max On-State Rintangan (Sumber longkang)	0.16 Ω
Suhu penyimpanan & operasi	-55 ° C. hingga +175 ° C.

Faedah memohon IRF530

Parameter	Penerangan
RD biasa (ON)	0.115 Ω
Penilaian DV/DT Dinamik	Ya
Teknologi Rugged Avalanche	Dipertingkatkan Ketahanan dalam keadaan tekanan tinggi
100% Avalanche diuji	Sepenuhnya diuji untuk kebolehpercayaan
Caj pintu rendah	Memerlukan kuasa pemacu minimum
Keupayaan semasa yang tinggi	Sesuai untuk aplikasi semasa yang tinggi
Suhu operasi	175 ° C maksimum
Menukar cepat	Cepat Respons untuk operasi yang cekap
Kemudahan paralel	Memudahkan Reka bentuk dengan MOSFET selari
Keperluan pemacu mudah	Mengurangkan Kerumitan dalam litar pemacu

Spesifikasi Teknikal

Jenis	Parameter
Gunung	Melalui Lubang
Pemasangan Jenis	Melalui Lubang
Pakej / Kes	TO-220-3
Transistor Bahan elemen	Silikon
Semasa - longkang berterusan (id) @ 25 ℃	14a TC
Memandu Voltan (maksimum rds, min rds pada)	10v
Nombor unsur -unsur	1
Kuasa Pelepasan (Max)	60w TC
Giliran Waktu kelewatan	32 ns
Beroperasi Suhu	-55 ° C ~ 175 ° C. TJ
Pembungkusan	Tiub
Siri	Stripfet ™ Ii
JESD-609 Kod	e3
Bahagian Status	Usang
Kelembapan Tahap Kepekaan (MSL)	1 (Tidak terhad)
Nombor penamatan	3
ECCN Kod	Telinga99
Terminal Selesai	Matte Timah (sn)
Voltan - DC	100V
Puncak Suhu reflow (CEL)	Tidak Ditentukan
Mencapai Kod pematuhan	not_compliant
Semasa Penilaian	14a
Masa @ Peak Reflow Suhu - Max (s)	Tidak Ditentukan
Asas Nombor bahagian	IRF5
Pin Hitung	3
JESD-30 Kod	R-PSFM-T3
Kelayakan Status	Tidak Berkelayakan
Elemen Konfigurasi	Bujang
Beroperasi Mod	Peningkatan Mod
Kuasa Pelesapan	60w
FET Jenis	N-channel
Transistor Permohonan	Beralih
Rds Pada (max) @ id, vgs	160mΩ @ 7a, 10v
Vgs (th) (Max) @ id	4v @ 250μA
Input Kapasitansi (ciss) (max) @ vds	458pf @ 25V
Pintu gerbang Caj (qg) (max) @ vgs	21nc @ 10V
Bangkit Masa	25ns
VGS (Max)	± 20V
Jatuh Masa (typ)	8 ns
Berterusan Arus Tuang (ID)	14a
JEDEC-95 Kod	TO-220AB
Pintu gerbang ke voltan sumber (VGS)	20v
Tuangkan ke voltan kerosakan sumber	100V
Berdenyut Tiris semasa - Max (IDM)	56A
Avalanche Penilaian Tenaga (EAS)	70 mj
ROHS Status	Bukan roh Patuh
Memimpin Percuma	Mengandungi Memimpin

Alternatif ke IRF530

Nombor bahagian	Penerangan	Pengilang
IRF530F	Kuasa Transistor Kesan Bidang, 100V, 0.16ohm, 1-elemen, N-Channel, Silicon, FET semikonduktor logam-oksida, ke-220AB	Antarabangsa Penerus
IRF530	Kuasa Transistor kesan bidang, saluran N, logam-oksida semikonduktor FET	Thomson Elektronik Pengguna
IRF530PBF	Kuasa Transistor Kesan Bidang, 100V, 0.16ohm, 1-elemen, N-Channel, Silicon, FET semikonduktor logam-oksida, ke-220AB	Antarabangsa Penerus
IRF530PBF	Kuasa Transistor kesan bidang, 14a (id), 100v, 0.16ohm, 1-elemen, n-saluran, Silikon, logam-oksida semikonduktor FET, ke-220AB, pakej patuh ROHS-3	Vishay Intertechnologies
SIHF530-E3	Transistor 14A, 100V, 0.16OHM, N-Channel, SI, Kuasa, MOSFET, TO-220AB, mematuhi ROHS, TO-220, 3 pin, kuasa tujuan umum FET	Vishay Siliconix
IRF530FX	Kuasa Transistor Kesan Bidang, 100V, 0.16ohm, 1-elemen, N-Channel, Silicon, FET semikonduktor logam-oksida, ke-220AB	Vishay Intertechnologies
IRF530FXPBF	Kuasa Transistor Kesan Bidang, 100V, 0.16ohm, 1-elemen, N-Channel, Silicon, FET semikonduktor logam-oksida, ke-220AB	Vishay Intertechnologies
SIHF530	Transistor 14A, 100V, 0.16OHM, N-Channel, SI, Kuasa, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, Kekuatan Tujuan Umum FET	Vishay Siliconix
IRF530FP	10a, 600V, 0.16ohm, N-Channel, SI, Power, MOSFET, TO-220FP, 3 PIN	Stmicroelectronics

Peperiksaan litar penilaian IRF530

Beban induktif yang tidak terkawal

Menghidupkan masa dengan beban rintangan

Penilaian Caj Gate

Aplikasi

Sistem bekalan kuasa

IRF530 cemerlang dalam persekitaran dengan permintaan semasa yang tinggi, menjadikannya sangat sesuai untuk bekalan kuasa yang tidak terganggu (UPS).Kemahirannya dalam menguruskan tindakan penukaran yang cepat meningkatkan kecekapan dan kebolehpercayaan.Dalam senario sebenar, memanfaatkan keupayaan MOSFET ini membantu mengelakkan gangguan kuasa dan mengekalkan kestabilan semasa gangguan yang tidak diduga, satu aspek yang anda hargai kerana anda berhasrat untuk melindungi operasi asas.

Mekanisme penggerak

Dalam aplikasi solenoid dan relay, IRF530 sangat bermanfaat.Ia tepat menguruskan pancang voltan dan aliran arus, memastikan pengaktifan yang tepat dalam sistem perindustrian.Anda boleh mahir dalam penggerak mekanikal dan menghargai kualiti ini untuk meningkatkan respons jentera dan memanjangkan jangka hayat operasi.

Peraturan Voltan dan Teknologi Penukaran

IRF530 adalah komponen yang hebat untuk peraturan voltan dan kedua-dua penukaran DC-DC dan DC-AC.Peranannya dalam mengoptimumkan penukaran kuasa tidak ternilai, terutamanya dalam sistem tenaga boleh diperbaharui di mana kecekapan dapat menguatkan output kuasa dengan ketara.Anda sering boleh menggali subtleties modulasi voltan untuk meningkatkan keberkesanan penukaran dan memupuk ketahanan sistem.

Aplikasi Kawalan Motor

Dalam aplikasi kawalan motor, IRF530 adalah diperlukan.Pelbagainya dari kenderaan elektrik untuk menghasilkan robotik, memudahkan modulasi kelajuan yang tepat dan pengurusan tork.Anda sering boleh menggunakan komponen ini, memanfaatkan ciri-ciri yang cepat bertukar-tukar untuk meningkatkan prestasi sambil memelihara tenaga.

Penguatan audio dan elektronik automotif

Dalam sistem audio, IRF530 meminimumkan penyimpangan dan menguruskan output terma, memastikan isyarat bunyi adalah jelas dan dapat dielakkan.Dalam elektronik automotif, ia mengendalikan fungsi asas seperti suntikan bahan api, sistem brek seperti ABS, penggunaan beg udara, dan kawalan pencahayaan.Anda boleh memperbaiki aplikasi ini, membuat kenderaan yang lebih selamat dan lebih responsif.

Pengurusan bateri dan sistem tenaga boleh diperbaharui

IRF530 membuktikan yang digunakan dalam pengecasan dan pengurusan bateri, menyokong peruntukan dan penyimpanan tenaga yang cekap.Dalam pemasangan kuasa solar, ia mengurangkan turun naik dan memaksimumkan penangkapan tenaga, bergema dengan objektif tenaga lestari.Dalam pengurusan tenaga, anda boleh memanfaatkan keupayaan ini untuk mengoptimumkan umur panjang bateri dan meningkatkan integrasi sistem.

Wawasan pembungkusan IRF530

Reka bentuk pakej IRF530

Spesifikasi mekanikal IRF530

Pengilang

Stmicroelectronics adalah pemimpin dalam bidang semikonduktor, memanfaatkan pengetahuannya yang mendalam tentang teknologi silikon dan sistem lanjutan.Kepakaran ini, digabungkan dengan bank harta intelektual yang besar, mendorong inovasi dalam teknologi sistem-on-chip (SOC).Sebagai entiti utama dalam domain mikroelektronik yang sentiasa berkembang, syarikat itu bertindak sebagai pemangkin bagi kedua-dua transformasi dan kemajuan.

Dengan memanfaatkan portfolio yang luas, stmicroelectronics secara konsisten meneroka ke dalam reka bentuk cip domain baru, mengaburkan garis antara kemungkinan dan realiti.Dedikasi syarikat yang tidak berbelah bahagi untuk penyelidikan dan pembangunan membakar integrasi sistem kompleks yang lancar ke dalam penyelesaian SOC yang efisien dan efisien.Penyelesaian ini melayani pelbagai industri, termasuk automotif dan telekomunikasi.

Syarikat ini mempamerkan tumpuan strategik untuk membuat penyelesaian khusus industri, mencerminkan kesedaran yang kuat tentang tuntutan dan halangan yang berbeza yang dihadapi oleh pelbagai sektor ketika mereka menavigasi dengan cepat mengubah medan teknologi.Mengejar inovasi dan komitmen mereka yang tidak henti -henti untuk mencari ekspresi dalam pembangunan penyelesaian baru yang berterusan.Usaha-usaha ini didedikasikan untuk menghasilkan lebih banyak teknologi yang cekap tenaga dan berdaya tahan, menekankan nilai penyesuaian dalam mengekalkan kelebihan daya saing.

Datasheet pdf

Lembaran data IRF530:

IRF530.pdf

Lembaran data IRF530PBF:

IRF530.pdf